春節(jié)剛過(guò)，存儲(chǔ)行業(yè)就拋出一枚“重磅炸彈”！

　　繼2025下半年開(kāi)啟一輪漲價(jià)周期后，2026年開(kāi)年存儲(chǔ)芯片再度迎來(lái)第二輪價(jià)格跳漲，且漲幅遠(yuǎn)超業(yè)內(nèi)預(yù)期。DRAM、NAND Flash全線跳漲，HBM更是陷入“有錢(qián)也拿不到貨”的瘋搶局面。

　　不同于過(guò)往多為短期波動(dòng)的季度反彈，此輪漲價(jià)顯現(xiàn)出更強(qiáng)的持續(xù)性與結(jié)構(gòu)性特征，其背后是AI算力爆發(fā)、行業(yè)寡頭控產(chǎn)、消費(fèi)電子復(fù)蘇三大因素的深度共振，更標(biāo)志著存儲(chǔ)行業(yè)正從過(guò)去的“周期性波動(dòng)”，邁入一個(gè)“結(jié)構(gòu)性稀缺”的新階段。

　　二次漲價(jià)落地，漲幅全面上修

　　從市場(chǎng)動(dòng)態(tài)來(lái)看，閃迪已向部分下游客戶拋出堪稱“前所未聞”的供應(yīng)合同：要求客戶支付100%現(xiàn)金預(yù)付款，以此鎖定未來(lái)1至3年的存儲(chǔ)芯片配額。野村證券也在報(bào)告中指出，閃迪計(jì)劃在3月將其用于企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的高容量3D NAND閃存芯片價(jià)格環(huán)比上調(diào)超過(guò)100%。

　　無(wú)獨(dú)有偶，全球DRAM領(lǐng)域的兩大巨頭三星、SK海力士，也已正式向客戶發(fā)出通知，明確第二季度將繼續(xù)大幅上調(diào)DRAM產(chǎn)品價(jià)格。其中部分產(chǎn)品漲幅高達(dá)100%，DDR5顆粒更是實(shí)現(xiàn)統(tǒng)一漲價(jià)40%；中小客戶甚至需接受兩倍以上漲幅才能拿到貨源，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)徹底進(jìn)入“賣方市場(chǎng)”。

　　甚至有相關(guān)企業(yè)直言，2026年全年將無(wú)法滿足所有客戶的供貨需求，目前行業(yè)整體庫(kù)存僅能維持約4周，遠(yuǎn)低于行業(yè)安全線，處于歷史極低水平。

　　從漲價(jià)幅度來(lái)看，市場(chǎng)預(yù)期已多次上修。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2026年第一季度DRAM合約價(jià)季漲幅從55%-60%上修至90%-95%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅從33%-38%上修至55%-60%，且機(jī)構(gòu)認(rèn)為后續(xù)仍有上調(diào)空間。

　　Counterpoint Research則預(yù)測(cè)，存儲(chǔ)價(jià)格在2026年Q1還將再漲40%–50%，Q2預(yù)計(jì)繼續(xù)上漲約20%。其中，64GB RDIMM內(nèi)存的價(jià)格已從2025年Q3的255美元大幅上漲至Q4的450美元，預(yù)計(jì)2026年Q1進(jìn)一步上漲至700美元。

　　三大不可逆因素，撐起二次漲價(jià)潮

　　自2025年全球存儲(chǔ)芯片、硬盤(pán)開(kāi)啟漲價(jià)周期以來(lái)，這股熱潮并未消退，反而在2026年迎來(lái)二次爆發(fā)，漲幅持續(xù)擴(kuò)大、傳導(dǎo)速度加快。

　　根據(jù)國(guó)家發(fā)改委價(jià)格監(jiān)測(cè)中心調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，截至2026年1月，存儲(chǔ)芯片兩大主要產(chǎn)品DRAM和NAND閃存價(jià)格均創(chuàng)下2016年有數(shù)據(jù)以來(lái)的最高水平。

　　以主流型號(hào)為例，1月DRAM（DDR4 8Gb 1G8）合約平均價(jià)格為11.5美元，比上月上漲約24%，較2025年9月上漲約83%；NAND閃存（128Gb 16G8 MLC）合約平均價(jià)格為9.5美元，比上月上漲約65%，較2025年9月上漲近1.5倍。

　　深究本輪二次漲價(jià)的核心成因，三大不可逆因素形成合力，撐起了這場(chǎng)漲價(jià)潮。

　　其中，AI產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長(zhǎng)為根本驅(qū)動(dòng)力。以AI服務(wù)器為例，其對(duì)DRAM的需求是普通服務(wù)器的8至10倍，NAND閃存需求更是提升12倍以上。譬如OpenAI的“星門(mén)”項(xiàng)目，每月對(duì)DRAM晶圓的需求量高達(dá)90萬(wàn)片，這一數(shù)字接近全球DRAM月產(chǎn)能的53%。

　　在高端利潤(rùn)驅(qū)動(dòng)下，三星、SK海力士、美光等三大巨頭紛紛將先進(jìn)制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM與服務(wù)器級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品，從而大幅壓縮了面向智能手機(jī)、PC等消費(fèi)電子市場(chǎng)的產(chǎn)能供給。

　　更重要的是，AI算力基建并非短期脈沖，而是將持續(xù)釋放需求的長(zhǎng)期賽道。伴隨著大模型、智能體（Agent）的規(guī)模化落地，數(shù)據(jù)需求呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，高端存儲(chǔ)的剛性需求將在未來(lái)相當(dāng)一段時(shí)間內(nèi)持續(xù)存在。

　　與此同時(shí)，存儲(chǔ)行業(yè)的寡頭格局進(jìn)一步放大了供需矛盾。三星、SK海力士、美光三家廠商，合計(jì)掌控全球90%以上的DRAM產(chǎn)能，在定價(jià)上擁有絕對(duì)話語(yǔ)權(quán)。加之存儲(chǔ)產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)周期長(zhǎng)、投入成本高，新增產(chǎn)能短期內(nèi)難以釋放，進(jìn)一步放大了供需失衡的影響。

　　而在AI持續(xù)“搶產(chǎn)能”的同時(shí)，消費(fèi)電子市場(chǎng)也在同步復(fù)蘇。2025年末，受DRAM和與NAND價(jià)格上漲擔(dān)憂影響，PC與智能手機(jī)廠商加速出貨以規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)，推動(dòng)2025年第四季度出貨量大幅攀升。一邊是AI大廠瘋狂爭(zhēng)搶高端存儲(chǔ)產(chǎn)能，一邊是終端廠商搶消費(fèi)級(jí)現(xiàn)貨，雙重“搶料”之下，存儲(chǔ)市場(chǎng)供需失衡進(jìn)一步加劇，全行業(yè)漲價(jià)成為必然趨勢(shì)。

　　連鎖反應(yīng)：從芯片到終端，全產(chǎn)業(yè)鏈承壓加劇

　　存儲(chǔ)行業(yè)的漲價(jià)潮，早已不是上游原廠的“獨(dú)角戲”，其沖擊波正快速向下游傳導(dǎo)，覆蓋封測(cè)、模組到終端消費(fèi)的每一個(gè)環(huán)節(jié)，全產(chǎn)業(yè)鏈不得不直面成本高企的壓力，共同為這場(chǎng)漲價(jià)熱潮“買單”。

　　就以終端消費(fèi)市場(chǎng)而言，在成本端的持續(xù)施壓下，終端消費(fèi)市場(chǎng)已開(kāi)始出現(xiàn)實(shí)質(zhì)性調(diào)整。據(jù)渠道及ODM廠商透露，OPPO、一加、vivo、小米、iQOO、榮耀等多家頭部手機(jī)品牌，已擬定于3月初啟動(dòng)新一輪產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整。PC領(lǐng)域同樣未能幸免，聯(lián)想、惠普、戴爾、宏碁、華碩等廠商已相繼釋放漲價(jià)信號(hào)。

　　除了手機(jī)、PC等主流終端外，漲價(jià)的波及面正逐漸向外圍智能硬件加速擴(kuò)散。據(jù)相關(guān)報(bào)道，原本被視為攝影耗材的相機(jī)存儲(chǔ)卡價(jià)格迎來(lái)上漲，多數(shù)SD卡、TF卡、CFexpress Type-B卡出現(xiàn)價(jià)格翻倍的情況。與此同時(shí)，無(wú)人機(jī)、AI眼鏡等新興智能設(shè)備也在承壓。以夸克眼鏡為例，線下門(mén)店店員已透露即將調(diào)價(jià)，盡管具體時(shí)間與幅度尚未明確，但漲價(jià)的預(yù)期已在渠道端悄然發(fā)酵。

　　2026年開(kāi)年的二次漲價(jià)，并非本輪存儲(chǔ)超級(jí)周期的終點(diǎn)，而更像是中場(chǎng)階段的加速信號(hào)，后續(xù)行業(yè)仍將維持高景氣度，且漲價(jià)壓力還將持續(xù)向全產(chǎn)業(yè)鏈滲透。

　　對(duì)于整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)而言，這場(chǎng)漲價(jià)潮正在重塑行業(yè)格局，結(jié)構(gòu)性稀缺的特征將愈發(fā)明顯。無(wú)論是上游原廠、中游配套企業(yè)，還是下游終端廠商，都需主動(dòng)調(diào)整策略，應(yīng)對(duì)成本壓力與市場(chǎng)變化，而這輪超級(jí)周期的持續(xù)，也將推動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)向高端化、集中化方向進(jìn)一步發(fā)展。